Tranzystory IGBT

Tranzystor IGBT, czyli tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT=insulated-gate bipolar transistor) jest urządzeniem półprzewodnikowym stosowanym w elektronice mocy (zasilającej), ponieważ łączy w sobie zalety tranzystora bipolarnego (dobre właściwości przewodnictwa, wysokie napięcie zaporowe, wytrzymałość) oraz zalety tranzystora polowego (sterowanie o bardzo niskim poziomie strat).

Podstawowe typy tranzystorów IGTB

Istnieją cztery różne podstawowe typy IGBT reprezentowane przez cztery różne symbole przełączania. W zależności od domieszkowania materiału podstawowego można wytwarzać IGBT n- i p-kanałowe. Są one podzielone na typy samo przewodzący i samoblokujący. Ta właściwość jest wybierana jeszcze w trakcie procesu produkcyjnego. W symbolach obwodów samo przewodzących IGBT, określanych również jako typ zubożony, linia ciągła jest narysowana między zaciskami kolektora (C) i emiterów (E). Linia ta jest przerywana w typach samoblokujących, zwanych również typami wzbogaconymi. Przyłącze bramki (G) służy, jako terminal sterujący dla wszystkich typów.

Zasada działania

Tranzystor IGBT to dalszy rozwój pionowego systemu zasilania MOSFET. Ten typ tranzystora to czterowarstwowe urządzenie półprzewodnikowe sterowane przez bramkę. Ma on w większości jednorodny, wysoce domieszkowany substrat p-kanałowy (n-kanałowy IGBT) ze specjalnie utworzonym złączem p-n na plecach. Na podłoże osadza się słabo domieszkowaną warstwę nośną typu n, a następnie przez dyfuzję wprowadza się studnie katodowe typu p (czasami silnie domieszkowane) i silnie domieszkowane wyspy typu n. W ten sposób tworzona jest struktura n+pnp+ dla n-kanałowego IGBT. Kanał P IGBT ma odpowiednią strukturę p+npn+. Węzeł p-n i bramka są odpowiedzialne za funkcjonowanie całości. W wyniku tego powstaje obwód Darlingtona, który składa się z tranzystora n-kanałowego FET i tranzystora wejściowego. Do kolektora (względem emitera) przykładany jest potencjał dodatni, tak że przejście zwrotne jest w trybie pracy do przodu, a nie w trybie blokowania wstecznego. Eksploatacja w przód może być podzielona na dwa obszary: strefy blokowania i przepuszczania.

Jako Firma Piekarz, internetowy sklep z elektroniką, oferujemy Państwu szeroki wachlarz produktów wśród których można znaleźć wysokiej jakości tranzystory IGBT. Prąd kolektora zmienia się od 10 do 150A, napięcie na styku kolektor-emiter wynosi od 600 do 1 600V, moc znamionowa od 220mW do 600W, różne rodzaje obudów tranzystorowych umożliwiają montaż przewlekany i powierzchniowy.