Tranzystory darlington

Tranzystor Darlington, czy raczej obwód Darlingtona jest układem elektronicznym, składającym się z dwóch tranzystorów bipolarnych, z pierwszego, mniejszego tranzystor działającego jako nadajnik emiterów na bazie drugiego, większego tranzystora. Służy to do znacznego zwiększenia aktualnego współczynnika wzmocnienia pojedynczego tranzystora bipolarnego. Jeśli oba tranzystory znajdują się w jednej obudowie, taki zestaw jest właśnie nazywany tranzystorem Darlingtona.

Zastosowanie tranzystorów Darlingtona

Tranzystory mocy mają znacznie mniejsze wzmocnienie B (5-10 niż 100-1000 dla małych tranzystorów sygnałowych) w porównaniu z małymi tranzystorami sygnałowymi i dlatego wymagają wysokich prądów sterujących, które mogą być odpowiednio zmniejszone przez układ Darlingtona. Dlatego jedną z najważniejszych aplikacji jest włączanie lub wyłączanie znacznie wyższego prądu zasilania poprzez prąd sterowania o niskiej mocy. Inna aplikacja dotyczy wzmacniania sygnałów analogowych. Powodem jest to, że prądy sterujące są zbyt niskie, aby bezpośrednio napędzać tranzystory mocy. Ponadto zależność temperaturowa, a tym samym regulacja punktu pracy w tranzystorach Darlingtona jest stosunkowo nisko krytyczna; przez opór między bazą a emiterem tranzystora mocy, prąd spoczynkowy między 0,7 V a 1,1 V jest w przybliżeniu liniowy. Pozwala to uniknąć zniekształceń.

Możliwe warianty instalacji

Układ Darlingtona może być skonstruowany z tranzystorami npn i pnp jako elementem mocy. Rezystory są w nim włączone równolegle do ścieżek baza-emiter poszczególnych tranzystorów, które, pozwalają na rozładowanie ładunku z bazy. Dodatkowe diody przyspieszają ten proces, jeśli napięcie na pierwszym tranzystorze sterownika jest równe napięciu emitera tranzystora mocy, wówczas ładunek ze wszystkich tranzystorów znajdujących się za nimi, może przepłynąć przez diody. Efekt ten działa również w tranzystorach IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor=tranzystor bipolarny z izolowaną bramką). Należy unikać stosowania diod, jeśli napięcie podstawowe może spaść poniżej napięcia emitera. Dioda między kolektorem a emiterem tranzystora Darlingtona ma inne przeznaczenie. Jest przewidziana, jako dioda gasząca, która chroni obwód za pomocą obciążenia indukcyjnego.

Proponujemy Państwu tranzystory Darlingtona z oboma kierunkami przewodnictwa: NPN i PNP, zasilane prądem kolektora w zakresie od 0,4 do 50A, napięciu kolektor-emiter od 30 do 400V, częstotliwości od 1 do 220MHz i różne typy obudowy.