Diody Schottky

Diody Schottky

W elektronice dioda Schottky, jest specjalną diodą, która nie ma złącza p-n (półprzewodnikowo-półprzewodnikowego), ale (blokujące) metalowo-półprzewodnikowe. Ten interfejs pomiędzy metalem a półprzewodnikiem nazywa się kontaktem Schottky'ego albo barierą Schottky'ego, zgodnie z występującą za jego przyczyną barierą potencjału. Podobnie jak złącze p-n, dioda Schottky'ego jest prostownikiem.

Najważniejsza właściwość diody

Jako diody "szybkie", diody Schottkiego nadają się do zastosowań o wysokiej częstotliwości aż do zakresu mikrofalowego, co wynika głównie z ich małych zdolności nasycenia. Dlatego są one często stosowane jako diody ochronne do obniżania napięcia indukcyjnego (dioda swobodnego biegu jałowego) lub jako diody prostownicze w zasilaczach przełączających i umożliwiają przełączanie częstotliwości powyżej 1 MHz. Nadają się one również jako demodulatory dla obwodów detektorów. Krzem jest zwykle używany jako materiał półprzewodnikowy dla napięć do 250 V, podczas gdy arsenek galu (GaAs), węglik krzemu (SiC) lub SiGe są również używane dla napięć wstecznych od 300 do 1700 V.

Dwa podstawowe typy diody Schottky

Pierwszy typ, to krzemowe diody Schottky'ego, które mają niskie napięcie progowe ok. 0,4 V. Przy bardzo niskich prądach roboczych spadek napięcia może spaść nawet poniżej 0,1 V. Jest to znacznie mniej niż w przypadku krzemowo złącza p-n-złącze z ok. 0,7 V. Można je, zatem łączyć równolegle do ścieżki podstawy kolektora krzemowego tranzystora bipolarnego, aby zapobiec nasyceniu tranzystora i w ten sposób umożliwić znacznie szybsze przełączanie tranzystora do stanu blokady. Diody Schottky'ego oparte na węgliku krzemu (SiC) mają napięcie progowe ok. 0,8 V, ale oferują szereg korzyści w porównaniu z konwencjonalnymi diodami krzemowymi w energoelektronice. Diody SiC Schottky'ego są dostępne do napięć wstecznych 1,7 kV, co czyni je szczególnie przydatnymi w elektronice zasilającej, takiej jak zasilacze impulsowe i konwertery.